1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

Přehled produktu-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

1mm InGaAs PIN fotodioda (model BPD-1STO46B-FW) od Box Optronics je vysoce výkonný fotodetektor InGaAs určený pro aplikace detekce blízkého infračerveného záření (NIR). Díky struktuře PIN diody převádí dopadající optickou energii v rozsahu vlnových délek 900–1650 nm na proporcionální fotoproud s vysokou linearitou a citlivostí. Disponuje aktivní plochou o průměru 1 mm. Fotodioda zabalená v hermetické kovové nádobce TO46 s plochým optickým okénkem je mechanicky robustní a zajišťuje stabilní výkon v náročných průmyslových a laboratorních podmínkách. Tyto atributy z něj dělají vynikající volbu pro monitorování optického výkonu, měření optických vláken, laserovou detekci a NIR spektroskopii.

Klíčové vlastnosti-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

• Průměr aktivní oblasti: 1 mm pro efektivní sběr světla

• Široký rozsah spektrální odezvy: 900nm až 1650nm

• Vysoká odezva: 0,9 A/W typická při 1310nm, 0,95A/W při 1550nm

• Ultra nízký temný proud, nízká kapacita přechodu

• Vysoká spolehlivost a dlouhodobá stabilita

• Hermetický kovový obal na ploché okno TO46

• Standardní konfigurace TO-CAN pro snadnou montáž

Typické aplikace-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

• Optické měřiče výkonu a moduly pro monitorování optického výkonu

• Zařízení pro testování a měření optických vláken

• Detekce optického signálu a monitorování napájení v telekomunikačních systémech

• Near-infrared (NIR) spektroskopie a analytické přístroje

• Systémy monitorování a řízení výkonu laseru

• Kalibrace a charakterizace optického atenuátoru

• Výzkum a vývoj ve fotonických laboratořích

• Integrace optických modulů a vývoj fotonického subsystému

Technické specifikace-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

Absolutní maximální hodnocení (TC = 25 °C)

Elektrooptické vlastnosti (TC = 25 °C)

Podrobnosti o produktu-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

Co je InGaAs PIN fotodioda?

InGaAs PIN fotodioda je vysoce citlivý polovodičový detektor určený pro optickou detekci blízkého infračerveného záření (NIR). Na základě polovodičové struktury P-I-N převádí dopadající fotony na fotoproud s vynikající linearitou a stabilitou.

Fotodiody InGaAs fungující od 900nm do 1700nm poskytují vysokou odezvu napříč optickými komunikačními pásmy a SWIR oblastí, díky čemuž jsou vhodné pro testování optických vláken, monitorování optického výkonu, spektroskopii a aplikace snímání.

Aktivní plocha 1 mm nabízí vylepšenou schopnost shromažďování světla a vylepšenou toleranci spojení, což poskytuje vynikající rovnováhu mezi citlivostí, flexibilitou zarovnání a rychlostí detekce.

Přednosti výkonu-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

• Vysoká odezva a kvantová účinnost

• Ultra-nízký temný proud

• Nízká kapacita a rychlá odezva

• Široké spektrální pokrytí

• Hermetický balíček TO46

Rozměry balení a definice pinu-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

Typ balení:TO46 hermetická kovová plechovka, ploché okénko (TO-CAN 3kolíkové)

Průměr plechovky: φ5,4 ± 0,2 mm (vnější), φ4,7 ± 0,1 mm (vnitřní)

Průměr okénka:φ3,9 ± 0,1 mm

Konfigurace kolíku (pohled zdola): kolík 1 = anoda (strana P), kolík 2 = pouzdro (GND), kolík 3 = katoda (strana N)

Informace pro objednání

Modelová nomenklatura

BPD - X X AŽ XX - X - X

Příklad: BPD-1STO46B-FW

Datový list-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

Datový list

Dodací lhůta

• Standardní jednotky (modely na skladě): 3~5 pracovních dnů

• Standardní výroba: 10–15 pracovních dnů

• Množstevní objednávky: Kontaktujte nás ohledně plánu výroby

• Mezinárodní doprava: ~5 pracovních dnů (DHL/UPS/FedEx express)

• Urychlená služba: K dispozici na vyžádání

Provozní poznámky a manipulace-1mm InGaAs PIN fotodioda TO46

• Fotodiody jsou zařízení citlivá na elektrostatický výboj (ESD) – vždy používejte správnou ESD ochranu

• Nedotýkejte se elektrod přímo holými prsty, abyste zabránili kontaminaci a poškození ESD

• Nepoužitá zařízení uchovávejte v obalech nebo vodivých podnosech odolných vůči elektrostatickému výboji, abyste zabránili poškození elektrostatickým výbojem